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分立半导体
IRFB4127PBF参考图片

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IRFB4127PBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET MOSFT 200V 76A 20mOhm 100nC Qg
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数量单价合计
1
¥27.9675
27.9675
10
¥23.7413
237.413
100
¥20.5886
2058.86
250
¥19.5151
4878.775
500
¥17.515
8757.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
76 A
Rds On-漏源导通电阻
20 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
100 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
375 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
79 S
下降时间
22 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
18 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
56 ns
典型接通延迟时间
17 ns
零件号别名
SP001560212
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IRFB4127PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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双向可控硅 TRIAC
暂无价格
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100:¥123.6333
200:¥112.7288
500:¥105.429
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250:¥62.0144
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100:¥105.429
200:¥96.1291
500:¥89.9819
1,000:¥82.5239
参考库存:33589
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