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分立半导体
SIRA02DP-T1-GE3参考图片

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SIRA02DP-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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库存:6,404(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥13.6052
13.6052
10
¥11.30
113
100
¥8.7575
875.75
500
¥7.6727
3836.35
3,000
¥7.6727
23018.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
1.65 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V, - 16 V
Qg-栅极电荷
117 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
71.4 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SIR
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
110 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
42 ns
典型接通延迟时间
16 ns
零件号别名
SIRA02DP-GE3
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格,SIRA02DP-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET MOSFT 17A 22.7nC 100mOhm LogLvAB
1:¥7.5258
10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
1,000:¥3.4578
参考库存:9789
分立半导体
双向可控硅 20 Amp 700 Volt
1:¥12.8368
10:¥10.9158
100:¥8.7575
500:¥7.6275
参考库存:6569
分立半导体
肖特基二极管与整流器 10 Amp 60 Volt 280 Amp IFSM
1:¥6.9947
10:¥5.6613
100:¥4.294
500:¥3.5482
6,500:¥2.5764
参考库存:10285
分立半导体
肖特基二极管与整流器 10 Amp 100 Volt
1:¥6.9947
10:¥5.7517
100:¥4.4183
500:¥3.8081
1,000:¥2.9945
6,500:¥2.9945
参考库存:19492
分立半导体
MOSFET 30V Vds 20V Vgs TSSOP-8
1:¥7.1416
10:¥6.2263
100:¥4.8364
500:¥3.6386
1,000:¥2.938
3,000:¥2.938
参考库存:9535
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