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分立半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ON Semiconductor
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	Power-56-8
通道数量	2 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	25 V
Id-连续漏极电流	15 A, 30 A
Rds On-漏源导通电阻	5.6 mOhms, 1.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	1.8 V, 1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压	20 V
Qg-栅极电荷	19 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
Pd-功率耗散	2.2 W, 2.5 W
配置	Dual
商标名	Power Stage PowerTrench SyncFet
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
高度	1.1 mm
长度	6 mm
系列	FDMS3600S
晶体管类型	2 N-Channel
宽度	5 mm
商标	ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值	67 S, 171 S
下降时间	1.8 ns, 3.9 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	2 ns, 5.3 ns
工厂包装数量	3000
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	19 ns, 38 ns
典型接通延迟时间	7.9 ns, 13 ns
单位重量	171 mg

商品其它信息

优势价格，FDMS3600S的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
TD210N12KOF	Infineon Technologies	分立半导体	PDF数据手册	分立半导体模块 1200V 410A	1:¥1,068.302 5:¥1,047.2501 10:¥998.4567 25:¥977.4839	参考库存:2055
FGI3236-F085	ON Semiconductor / Fairchild	分立半导体	PDF数据手册	IGBT 晶体管 EcoSPARK 320mJ 360V N-Chan Ignition	1:¥17.4472 10:¥14.8256 100:¥11.8311	参考库存:2454
SIR416DP-T1-GE3	Vishay / Siliconix	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8	1:¥10.4525 10:¥8.6106 100:¥6.6218 500:¥5.7065 3,000:¥5.7065	参考库存:7556
BC859BW,115	Nexperia	分立半导体	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-7	1:¥1.3786 10:¥1.2995 100:¥0.46104 1,000:¥0.30736 3,000:¥0.23843	参考库存:3016
VS-VSKT105/16	Vishay Semiconductors	分立半导体	PDF数据手册	SCR模块 1600 Volt 105 Amp 2094 Amp IFSM	1:¥374.595 5:¥364.6058 10:¥350.4695	参考库存:2071