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分立半导体
SIHG47N60E-E3参考图片

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SIHG47N60E-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
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库存:4,460(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥82.4448
82.4448
10
¥74.1506
741.506
25
¥63.3139
1582.8475
100
¥60.9296
6092.96
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AC-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
47 A
Rds On-漏源导通电阻
64 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
148 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
357 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
系列
E
宽度
5.31 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
82 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
72 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
93 ns
典型接通延迟时间
28 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,SIHG47N60E-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 600V 8A TO-263 HexFred
1:¥7.684
10:¥6.1246
100:¥4.6443
500:¥3.842
参考库存:5607
分立半导体
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥7.1416
10:¥5.8986
100:¥4.52
500:¥3.8872
1,000:¥3.0623
3,000:¥3.0623
参考库存:7687
分立半导体
SCR High Temperature 20A SCR
1:¥7.3789
10:¥6.2828
100:¥4.8138
500:¥4.2601
1,000:¥3.3674
参考库存:6558
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 NPN Digital Transtr 500mA12V w/bias rstr
1:¥2.7685
10:¥1.9775
100:¥0.91417
1,000:¥0.69947
8,000:¥0.54579
24,000:查看
参考库存:12322
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PRMH13/SOT1268 DFN1412-6
1:¥2.3843
10:¥1.5933
100:¥0.66896
1,000:¥0.45313
参考库存:9705
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