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分立半导体
IKW25N120T2参考图片

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IKW25N120T2

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 1200V 25A
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库存:4,375(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥49.72
49.72
10
¥44.9514
449.514
25
¥42.8722
1071.805
100
¥37.1883
3718.83
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
Pd-功率耗散
349 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Tube
高度
20.95 mm
长度
15.9 mm
宽度
5.3 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW25N120T2FKSA1 IKW25N12T2XK SP000244960
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IKW25N120T2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH
1:¥3.2996
10:¥2.7685
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:1530
分立半导体
稳压二极管 5.6 Volt 0.5W 5%
1:¥2.147
10:¥1.4238
100:¥0.69947
500:¥0.5989
10,000:¥0.26894
20,000:查看
参考库存:11417
分立半导体
稳压二极管 22 Volt 0.5W 2%
1:¥2.147
10:¥1.4238
100:¥0.69947
500:¥0.5989
2,500:¥0.35369
5,000:查看
参考库存:13919
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 SS GP XSTR SPCL TR
1:¥2.0001
10:¥1.3786
100:¥0.5763
1,000:¥0.39211
3,000:¥0.30736
参考库存:16946
分立半导体
桥式整流器 8.0 Amp 400 Volt
1:¥13.0628
10:¥10.9158
100:¥8.4524
500:¥7.4015
1,000:¥6.1359
参考库存:2423
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