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分立半导体

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STGWA25H120F2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
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数量单价合计
1
¥56.6356
56.6356
10
¥51.1777
511.777
25
¥48.7934
1219.835
100
¥42.3411
4234.11
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
技术
Si
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
Pd-功率耗散
375 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWA25H120F2
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
25 A
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,STGWA25H120F2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Diodes - DO5 BRAZ SQR-e3
100:¥134.3118
300:¥123.2491
500:¥117.3392
参考库存:26741
分立半导体
稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT
3,000:¥0.3616
9,000:¥0.30736
24,000:¥0.29154
45,000:¥0.27685
99,000:¥0.23843
参考库存:26744
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 50Vcbo 50Vcev 45Vcer 5.0Vebo 40W
90:¥106.3443
120:¥97.745
270:¥89.1344
510:¥79.3712
参考库存:26747
分立半导体
稳压二极管 150mW 6.2V Zener
3,000:¥0.41471
9,000:¥0.36838
24,000:¥0.34578
参考库存:82610
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 BISS RET
3,000:¥0.3842
9,000:¥0.32996
24,000:¥0.30736
45,000:¥0.29154
99,000:¥0.25312
参考库存:26752
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