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分立半导体
IPB108N15N3 G参考图片

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IPB108N15N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 150V 83A D2PAK-2 OptiMOS 3
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库存:6,043(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥31.1993
31.1993
10
¥26.5098
265.098
100
¥22.9729
2297.29
250
¥21.8203
5455.075
1,000
¥16.5206
16520.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
83 A
Rds On-漏源导通电阻
10.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
41 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
214 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
94 S
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
35 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
32 ns
典型接通延迟时间
17 ns
零件号别名
IPB108N15N3GATMA1 IPB18N15N3GXT SP000677862
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPB108N15N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 440 Amp 30 Volt
1:¥432.225
5:¥424.315
10:¥406.7887
25:¥394.031
参考库存:2782
分立半导体
整流器 1400V 85A Std. Recovery
1:¥124.2548
10:¥112.9548
25:¥104.5024
50:¥98.8976
参考库存:2930
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 250mA 75V 500mA 250mA 150mW 75Vbr
1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
8,000:¥0.26894
24,000:查看
参考库存:31242
分立半导体
肖特基二极管与整流器 200V, 5A
1:¥4.9946
10:¥3.842
100:¥2.6781
1,000:¥1.9775
3,000:¥1.6724
参考库存:4260
分立半导体
整流器 30 Amp 600 Volt 300 Amp IFSM
1:¥18.8258
10:¥16.1364
100:¥12.6786
250:¥11.3678
参考库存:4103
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