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分立半导体
IPB123N10N3 G参考图片

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IPB123N10N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 100V 58A D2PAK-2 OptiMOS 3
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库存:6,105(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.6786
12.6786
10
¥10.7576
107.576
100
¥8.6106
861.06
500
¥7.5484
3774.2
1,000
¥6.2602
6260.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
58 A
Rds On-漏源导通电阻
10.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
35 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
94 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
类型
OptiMOS 3 Power-Transistor
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
29 S
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24 ns
典型接通延迟时间
14 ns
零件号别名
IPB123N10N3GATMA1 IPB123N1N3GXT SP000485968
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPB123N10N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 15A,200V,DUAL SCHOTTKY RECTIFIER
1:¥10.5316
10:¥9.2999
25:¥8.4524
100:¥7.3563
800:¥4.5087
2,400:查看
参考库存:17314
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 DUAL PNP/PNP
1:¥2.9154
10:¥1.8758
100:¥0.80682
1,000:¥0.62263
3,000:¥0.46895
参考库存:17317
分立半导体
桥式整流器 50A, 200V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, FASTON
1:¥34.0356
10:¥29.5043
50:¥23.8204
100:¥20.4417
500:¥17.2099
参考库存:17320
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR PNP
1:¥3.7629
10:¥3.1075
100:¥1.8984
1,000:¥1.469
3,000:¥1.2543
参考库存:17323
分立半导体
MOSFET TRANS MOSFET P-CH 3PIN AUTO GRADE
1:¥5.4579
10:¥4.5313
100:¥2.9154
1,000:¥2.3391
3,000:¥1.9775
参考库存:17326
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