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分立半导体
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FQPF9P25

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数量单价合计
1
¥11.30
11.3
10
¥9.605
96.05
100
¥7.4241
742.41
500
¥6.5653
3282.65
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
250 V
Id-连续漏极电流
6 A
Rds On-漏源导通电阻
620 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
50 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
QFET
封装
Tube
高度
16.07 mm
长度
10.36 mm
系列
FQPF9P25
晶体管类型
1 P-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.9 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
4.8 S
下降时间
65 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
150 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
45 ns
典型接通延迟时间
20 ns
零件号别名
FQPF9P25_NL
单位重量
2.270 g
商品其它信息
优势价格，FQPF9P25的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPP60R160P6
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET HIGH POWER_LEGACY
1:¥23.3571
10:¥19.8202
100:¥17.2099
250:¥16.2946
500:¥14.5996
参考库存:3254
S1WB(A)80-7101
Shindengen
分立半导体
桥式整流器 VRM=80 IFSM=30
1:¥7.458
10:¥6.7235
100:¥6.1133
500:¥5.2658
参考库存:2399
BSC22DN20NS3 G
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 200V 7A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥7.1416
10:¥6.1359
100:¥4.7121
500:¥4.1697
5,000:¥2.9154
10,000:查看
参考库存:12139
ESH2PBHM3/84A
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 100volts 1.0amp
1:¥3.5369
10:¥2.6668
100:¥1.9775
500:¥1.6272
3,000:¥1.1413
6,000:查看
参考库存:2740
PDTA114EQAZ
Nexperia
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 PDTA114EQA/DFN1010D-3/REEL 7
1:¥2.0001
10:¥1.3108
100:¥0.5537
1,000:¥0.37629
5,000:¥0.29154
参考库存:7262
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