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分立半导体
BSB028N06NN3 G参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

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BSB028N06NN3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 60V 90A CanPAK3 MN OptiMOS 3
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库存:12,507(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥16.9048
16.9048
10
¥14.3736
143.736
100
¥11.526
1152.6
500
¥10.0683
5034.15
5,000
¥7.5032
37516
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
WDSON-2-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
90 A
Rds On-漏源导通电阻
2.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
108 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
78 W
配置
Single
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.7 mm
长度
6.35 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.05 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
6 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
38 ns
典型接通延迟时间
21 ns
零件号别名
BSB028N06NN3GXUMA1 BSB28N6NN3GXT SP000605956
商品其它信息
优势价格,BSB028N06NN3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 SWITCHING DIODE 75 V
1:¥3.4578
10:¥2.6329
100:¥1.4238
1,000:¥1.06785
3,000:¥0.92208
9,000:¥0.86106
参考库存:10887
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥277.0082
5:¥264.5556
10:¥256.2614
25:¥235.5146
参考库存:4899
分立半导体
肖特基二极管与整流器 WL CSP Low VF 40V Schottky Diode
1:¥4.0002
10:¥2.8476
100:¥1.8645
500:¥1.10627
1,000:¥0.62263
参考库存:29416
分立半导体
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥401.489
5:¥389.3528
10:¥377.8946
25:¥354.3115
参考库存:4941
分立半导体
肖特基二极管与整流器 650 V, 8 A 2-lead SiC
1:¥40.1828
10:¥32.2728
100:¥29.4252
250:¥26.5889
参考库存:5417
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