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分立半导体
IPB009N03L G参考图片

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IPB009N03L G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
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数量单价合计
1
¥25.5154
25.5154
10
¥21.6734
216.734
100
¥18.7467
1874.67
250
¥17.8314
4457.85
1,000
¥13.447
13447
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
180 A
Rds On-漏源导通电阻
700 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
227 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
180 S
下降时间
22 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
103 ns
典型接通延迟时间
26 ns
零件号别名
IPB009N03LGATMA1 IPB9N3LGXT SP000394657
单位重量
1.600 g
商品其它信息
优势价格,IPB009N03L G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 50 Volt 1.0 Amp 30 Amp IFSM
1:¥3.9211
10:¥2.6894
100:¥1.8193
500:¥1.4577
1,500:¥1.00683
4,500:查看
参考库存:34819
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
2,500:¥1.8419
参考库存:34822
分立半导体
整流器 fred 200V 2A - SMA
7,500:¥0.89948
15,000:¥0.83733
参考库存:34825
分立半导体
稳压二极管 22 Volt 1.5W 5%
1:¥4.0002
10:¥3.0623
100:¥2.2713
500:¥1.8645
750:¥1.4464
参考库存:34828
分立半导体
MOSFET 12V 8.0A 3.8W 27mohm @ 4.5V
1:¥5.0737
10:¥3.8872
100:¥2.8928
500:¥2.373
3,000:¥1.6724
6,000:查看
参考库存:34831
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