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FCP104N60

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库存：3,938(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥28.8941
28.8941
10
¥24.5097
245.097
100
¥21.2892
2128.92
250
¥20.2044
5051.1
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
37 A
Rds On-漏源导通电阻
104 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V, 30 V
Qg-栅极电荷
63 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
357 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
SuperFET II
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FCP104N60
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
33 S
下降时间
3.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
18 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
72 ns
典型接通延迟时间
26 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格，FCP104N60的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
S1JFS MWG
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器
28,000:¥0.43844
49,000:¥0.39211
98,000:¥0.3616
参考库存:16774
HS2BAHF2
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 1.5A,100V, GP HIGH EFFICIENT SMA RECTIFIER
15,000:¥0.71416
参考库存:16777
HS1KHF2G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 1A,800V, GP HIGH EFFICIENT SMD RECTIFIER
15,000:¥0.69947
22,500:¥0.63054
45,000:¥0.56048
97,500:¥0.52206
参考库存:16780
SFAF2008GHC0
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 20A, 600V, 35NS, SINGLE RECTIFIER ISOLATED
2,000:¥4.5991
参考库存:16783
ES2HA F2G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 2A, 500V, SUPER FAST SM SMA RECTIFIER
15,000:¥0.78422
参考库存:16786
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