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分立半导体
FDD6N50TM-F085参考图片

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FDD6N50TM-F085

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数量单价合计
1
¥11.8311
11.8311
10
¥10.0683
100.683
100
¥8.0682
806.82
500
¥7.0851
3542.55
2,500
¥5.4579
13644.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
6 A
Rds On-漏源导通电阻
760 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
89 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.39 mm
长度
6.73 mm
系列
FDD6N50TM_F085
晶体管类型
1 N-Channel
类型
Enhancement Mode Field Effect Transistor
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
2.5 S
下降时间
35 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
55 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
6 ns
零件号别名
FDD6N50TM_F085
单位重量
260.370 mg
商品其它信息
优势价格,FDD6N50TM-F085的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
1,500:¥5.0059
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参考库存:33822
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桥式整流器 1.5 Amp 800 Volt
1:¥5.0737
10:¥4.0906
100:¥3.1075
500:¥2.5651
参考库存:33825
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12:¥863.2183
36:¥834.4033
60:¥822.9564
108:¥777.0106
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6:¥1,203.4726
12:¥1,173.5728
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参考库存:33831
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3,000:¥2.9832
参考库存:33834
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