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分立半导体
APT75GT120JU2参考图片

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APT75GT120JU2

  • Microsemi
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  • IGBT 模块 Power Module - IGBT
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库存:3,114(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥324.0388
324.0388
5
¥313.123
1565.615
10
¥302.9078
3029.078
25
¥280.1609
7004.0225
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
栅极—射极漏泄电流
500 nA
Pd-功率耗散
416 W
封装 / 箱体
SOT-227-4
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
高度
9.6 mm
长度
38.2 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
25.4 mm
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
ISOTOP
单位重量
30 g
商品其它信息
优势价格,APT75GT120JU2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 30 Amp 150 Volt Dual TrenchMOS
1:¥14.0572
10:¥11.6842
100:¥9.0626
500:¥7.91
1,000:¥6.5427
参考库存:4120
分立半导体
MOSFET 75a 55V 0.012Ohm NCh UltraFET
1:¥14.9838
10:¥12.7577
100:¥10.2152
500:¥8.9157
参考库存:4528
分立半导体
MOSFET 80V N-Channel QFET
1:¥9.6841
10:¥8.2942
100:¥6.328
500:¥5.5935
1,000:¥4.4183
参考库存:5113
分立半导体
整流器 80A 200V Ultrafast 40ns FRED Pt
1:¥50.5562
10:¥41.8778
100:¥34.4198
250:¥33.3463
500:¥29.9676
参考库存:3545
分立半导体
MOSFET P-Ch -40V -80A D2PAK-2 OptiMOS-P2
1:¥11.526
10:¥9.831
100:¥7.8422
500:¥6.893
1,000:¥5.7065
参考库存:4196
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