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分立半导体

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STGWA15H120DF2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed
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1
¥51.2568
51.2568
10
¥46.33
463.3
25
¥44.183
1104.575
100
¥38.3409
3834.09
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
技术
Si
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
30 A
Pd-功率耗散
259 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWA15H120DF2
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
15 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格，STGWA15H120DF2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DDA144EU-7-F
Diodes Incorporated
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 200MW 47K 47K
1:¥3.1527
10:¥2.0001
100:¥0.86106
1,000:¥0.66105
3,000:¥0.49946
参考库存:6469
BZT52C3V3LP-7
Diodes Incorporated
分立半导体
稳压二极管 250mW 3.3V Zener
1:¥3.4578
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:8352
MSC2712GT1G
ON Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 60V NPN
1:¥1.3108
10:¥1.1865
100:¥0.42262
1,000:¥0.28476
3,000:¥0.2147
参考库存:36468
BAS19W-7-F
Diodes Incorporated
分立半导体
二极管 - 通用，功率，开关 200MW 120V
1:¥2.4634
10:¥1.6385
100:¥0.68365
1,000:¥0.46895
3,000:¥0.36838
参考库存:6347
CPH3205-TL-E
ON Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 3A 50V
1:¥4.4522
10:¥3.6499
100:¥2.2261
1,000:¥1.7176
3,000:¥1.469
参考库存:7310
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