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分立半导体

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STGWA15H120DF2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed
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数量单价合计
1
¥51.2568
51.2568
10
¥46.33
463.3
25
¥44.183
1104.575
100
¥38.3409
3834.09
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
技术
Si
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
30 A
Pd-功率耗散
259 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWA15H120DF2
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
15 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格，STGWA15H120DF2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTXV1N4370-1
Microsemi
分立半导体
整流器 Std Rectifier
341:¥42.1829
500:¥38.4991
1,000:¥33.5045
2,500:¥32.431
参考库存:37230
JANTXV1N976C-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
225:¥69.6984
250:¥64.0823
500:¥58.3984
1,000:¥50.8726
参考库存:37233
JAN1N3019D-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥199.6258
200:¥183.1843
500:¥174.3477
参考库存:37236
JANTX1N5518C-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥141.9958
200:¥129.4754
500:¥121.1021
参考库存:37239
JAN1N3828D-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥146.6853
200:¥134.6282
500:¥128.0968
参考库存:37242
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