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分立半导体
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BSS205NH6327XT

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数量单价合计
1
¥2.9154
2.9154
10
¥2.0792
20.792
100
¥0.95259
95.259
1,000
¥0.72998
729.98
3,000
¥0.62263
1867.89
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
2.5 A
Rds On-漏源导通电阻
40 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
700 mV
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
3.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
系列
BSS205
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
8.5 S
下降时间
2.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.9 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11 ns
典型接通延迟时间
5.8 ns
零件号别名
BSS205NH6327XTSA1 SP000929180
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，BSS205NH6327XT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FF300R17ME3
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 模块 N-CH 1.7KV 375A
10:¥1,288.4486
30:¥1,270.3912
参考库存:35185
BZX84C7V5
Rectron
分立半导体
稳压二极管 7.5V SOT23 300mW Zen er
15,000:¥0.29945
24,000:¥0.29154
参考库存:35188
IRGS6B60KTRLPBF
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 晶体管 600V 7AD2PAK
800:¥8.1473
2,400:¥7.571
4,800:¥7.2885
9,600:¥7.0173
参考库存:35191
BZX84C8V2
Rectron
分立半导体
稳压二极管 8.2V SOT23 300mW Zen er
15,000:¥0.29945
24,000:¥0.29154
参考库存:35194
RF201L2STE25
ROHM Semiconductor
分立半导体
整流器 DIODE FAST REVERY 200V 2A
1,500:¥1.1978
参考库存:35197
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