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BSP299H6327XUSA1

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1
¥9.1417
9.1417
10
¥7.7631
77.631
100
¥5.989
598.9
500
¥5.2997
2649.85
1,000
¥4.181
4181
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
400 mA
Rds On-漏源导通电阻
3.1 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
-
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.6 mm
长度
6.5 mm
系列
BSP299
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.5 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
300 mS
下降时间
30 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
55 ns
典型接通延迟时间
8 ns
零件号别名
BSP299 H6327 SP001058628
单位重量
112 mg
商品其它信息
优势价格，BSP299H6327XUSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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9,000:¥0.22261
24,000:¥0.20792
45,000:¥0.1921
参考库存:35800
BZT52B10
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 10 Volt 410mW 2%
3,000:¥0.33787
9,000:¥0.24634
24,000:¥0.23843
45,000:¥0.22261
参考库存:35803
1N4002G-T
Rectron
分立半导体
整流器 DO-41 1A 100V GP
10,000:¥0.20001
参考库存:35806
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