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分立半导体
IRFR3910TRPBF参考图片

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IRFR3910TRPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 115mOhms 29.3nC
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库存:31,656(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.6105
6.6105
10
¥5.65
56.5
100
¥4.3392
433.92
500
¥3.8307
1915.35
1,000
¥3.0284
3028.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
15 A
Rds On-漏源导通电阻
115 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
29.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
52 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
HEXFET Power MOSFET
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
25 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
27 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
37 ns
典型接通延迟时间
6.4 ns
零件号别名
SP001560674
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IRFR3910TRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥9.831
10:¥8.0682
100:¥6.1924
500:¥5.3223
3,000:¥3.9211
6,000:查看
参考库存:9709
分立半导体
MOSFET 20V N-Ch Enh FET 8Vgss .52W 71pF
1:¥3.2996
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
2,500:¥1.11418
10,000:¥1.11418
参考库存:9421
分立半导体
桥式整流器 35 Amp 1000 Volt
1:¥42.1038
10:¥38.1149
100:¥31.8095
200:¥30.3518
参考库存:4138
分立半导体
IGBT 模块
1:¥1,612.7134
5:¥1,573.9092
10:¥1,534.7999
25:¥1,513.2847
参考库存:15690
分立半导体
MOSFET N-Ch 30V 7.7A DSO-8 OptiMOS 3M
1:¥6.3054
10:¥5.2545
100:¥3.39
1,000:¥2.712
2,500:¥2.712
参考库存:6213
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