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分立半导体
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FCH47N60N

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数量单价合计
1
¥74.1506
74.1506
10
¥67.009
670.09
25
¥63.9354
1598.385
100
¥55.483
5548.3
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
47 A
Rds On-漏源导通电阻
51.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
368 W
配置
Single
商标名
SupreMOS
封装
Tube
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
系列
FCH47N60N
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.82 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
56 S
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
450
子类别
MOSFETs
单位重量
6.390 g
商品其它信息
优势价格，FCH47N60N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
F12-25R12KT4G
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 模块 IGBT 1200V 25A
1:¥748.4216
5:¥734.6695
10:¥701.6283
25:¥678.2712
参考库存:4125
FP50R12KT4
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 50A
1:¥797.7574
5:¥783.0787
10:¥747.8792
25:¥722.9062
参考库存:4117
APT38F50J
Microsemi
分立半导体
MOSFET Power FREDFET - MOS8
1:¥198.4732
5:¥189.5688
10:¥183.6476
25:¥168.7429
参考库存:4131
IPA65R065C7
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS
1:¥56.2514
10:¥50.7935
25:¥48.4883
100:¥42.1038
参考库存:4604
B485F-2
Crydom
分立半导体
分立半导体模块 DIODE MODULE 480VAC 50ADC 1200VP
1:¥362.843
10:¥345.554
25:¥337.7118
50:¥329.8018
参考库存:4117
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