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分立半导体
IRF6662TRPBF参考图片

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IRF6662TRPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MZ
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数量单价合计
1
¥14.6787
14.6787
10
¥12.4526
124.526
100
¥9.9101
991.01
500
¥8.6784
4339.2
4,800
¥6.4862
31133.76
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DirectFET-MZ
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
8.3 A
Rds On-漏源导通电阻
17.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
22 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
89 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
DirectFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.7 mm
长度
6.35 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.05 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
5.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.5 ns
工厂包装数量
4800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24 ns
典型接通延迟时间
11 ns
零件号别名
SP001576850
商品其它信息
优势价格,IRF6662TRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 1A, 150V, SCHOTTKY
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9,000:¥2.8363
24,000:¥2.7459
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15,000:¥0.79891
22,500:¥0.72207
45,000:¥0.63732
97,500:¥0.5989
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25:¥681.8759
50:¥667.8187
100:¥643.761
参考库存:28748
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