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分立半导体
IPG20N04S4L08ATMA1参考图片

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IPG20N04S4L08ATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
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数量单价合计
1
¥10.6785
10.6785
10
¥9.1417
91.417
100
¥7.0286
702.86
500
¥6.2037
3101.85
5,000
¥4.3505
21752.5
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
7.2 mOhms, 7.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
Qg-栅极电荷
39 nC, 39 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
54 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
OptiMOS-T2
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
20 ns, 20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3 ns, 3 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns, 40 ns
典型接通延迟时间
7 ns, 7 ns
零件号别名
IPG20N04S4L-08 IPG2N4S4L8XT SP000705576
单位重量
96.800 mg
商品其它信息
优势价格，IPG20N04S4L08ATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N3517A
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
455:¥15.594
500:¥13.9894
1,000:¥11.752
2,500:¥11.1418
5,000:¥10.2152
参考库存:28517
JANS1N4569AUR-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Temperature Compensated
50:¥1,339.9314
参考库存:28520
1N5998C
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
228:¥34.7362
250:¥31.3462
500:¥28.1257
1,000:¥23.6622
参考库存:28523
1N732
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
1:¥21.8994
10:¥17.5941
100:¥16.0573
250:¥14.4414
参考库存:28526
1N5947B
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
1:¥38.7251
10:¥31.1202
100:¥28.4308
250:¥25.6623
参考库存:28529
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