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分立半导体
BSO303P H参考图片

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BSO303P H

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch -30V -8.2A DSO-8 OptiMOS P
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库存：5,306(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.2944
12.2944
10
¥10.4525
104.525
100
¥8.0682
806.82
500
¥7.1416
3570.8
1,000
¥5.6274
5627.4
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
8.2 A
Rds On-漏源导通电阻
21 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
- 36 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
系列
OptiMOS P
晶体管类型
2 P-Channel
宽度
3.9 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
27 S
下降时间
39 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
13 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
55 ns
典型接通延迟时间
11 ns
零件号别名
BSO303PHXUMA1 BSO33PHXT SP000613854
单位重量
540 mg
商品其它信息
优势价格，BSO303P H的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPP100N10S3-05
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS-T
1:¥25.5154
10:¥21.6734
100:¥18.7467
250:¥17.8314
参考库存:2484
JANTX1N821-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Temperature Compensated
1:¥60.4776
10:¥54.3982
25:¥49.5618
100:¥44.7932
参考库存:2569
ND104N12K
Infineon Technologies
分立半导体
分立半导体模块 1200V 160A
1:¥734.8955
5:¥721.3694
10:¥688.9497
25:¥665.9768
参考库存:2336
FS15R06VE3_B2
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 模块 IGBT-MODULE
1:¥155.2959
10:¥142.7642
25:¥136.8543
100:¥120.5597
参考库存:2386
TD142N16KOF
Infineon Technologies
分立半导体
分立半导体模块 1600V 230A
1:¥940.7476
5:¥922.2382
10:¥879.2756
25:¥860.834
参考库存:2344
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