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分立半导体
BSZ900N20NS3 G参考图片

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BSZ900N20NS3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 200V 15.2A TDSON-8 OptiMOS 3
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库存：6,216(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.8311
11.8311
10
¥10.0683
100.683
100
¥8.0682
806.82
500
¥7.0625
3531.25
5,000
¥5.2432
26216
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-TSDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
15.2 A
Rds On-漏源导通电阻
90 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
8.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
62.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.3 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
8 S
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
10 ns
典型接通延迟时间
5 ns
零件号别名
BSZ900N20NS3GATMA1 BSZ9N2NS3GXT SP000781806
单位重量
100 mg
商品其它信息
优势价格，BSZ900N20NS3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMBZ5240BT-7-F
Diodes Incorporated
分立半导体
稳压二极管 150MW 10V
3,000:¥0.48364
9,000:¥0.43053
24,000:¥0.4068
参考库存:15997
DMTH6004LPSQ-13
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥12.5204
10:¥10.5994
100:¥8.5315
500:¥7.4241
1,000:¥6.1472
2,500:¥6.1472
参考库存:4168
S1NBC60-7101
Shindengen
分立半导体
桥式整流器 1.5 Amp 600 Volt
1:¥10.5316
10:¥9.5259
100:¥8.2264
500:¥7.3789
参考库存:16002
1N5811C.TR
Semtech
分立半导体
整流器 150V 3A Ultrafast Rec Rectifier Diode
500:¥30.4309
1,000:¥25.8996
2,500:¥24.2046
参考库存:16005
L6004D6TP
Littelfuse
分立半导体
双向可控硅 600V 4A Sensing 5-5-5-10mA
1:¥11.752
10:¥9.4468
100:¥7.2885
500:¥6.441
1,000:¥5.0737
参考库存:16008
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