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分立半导体
BSC030N03MSGATMA1参考图片

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BSC030N03MSGATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M
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库存:7,258(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.2207
7.2207
10
¥6.1811
61.811
100
¥4.7573
475.73
500
¥4.2036
2101.8
5,000
¥2.938
14690
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
2.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
73 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
69 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
OptiMOS 3M
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
48 S
下降时间
9.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23 ns
典型接通延迟时间
19 ns
零件号别名
BSC030N03MS BSC3N3MSGXT G SP000311506
商品其它信息
优势价格,BSC030N03MSGATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
分立半导体模块 Power Module - Mosfet
1:¥461.8084
5:¥447.819
10:¥434.6884
25:¥407.5571
参考库存:4381
分立半导体
MOSFET TRENCH 6 60V NFET
1:¥6.6105
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
1,500:¥2.3843
参考库存:5325
分立半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-2.7GHz, 60 Watt
1:¥775.9258
250:¥775.9258
参考库存:4552
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 300 V 250 mA
1:¥3.1527
10:¥2.2713
100:¥1.04525
1,000:¥0.79891
3,000:¥0.68365
参考库存:8500
分立半导体
肖特基二极管与整流器 New Input Diodes - TO-247-e3
1:¥104.8075
10:¥95.2816
25:¥88.14
50:¥83.3714
参考库存:4839
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