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分立半导体
IPB025N10N3 G参考图片

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IPB025N10N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 100V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
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库存:7,508(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥49.4036
49.4036
10
¥42.036
420.36
100
¥36.4199
3641.99
250
¥34.578
8644.5
1,000
¥26.1256
26125.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
180 A
Rds On-漏源导通电阻
2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
206 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
类型
OptiMOS 3 Power-Transistor
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
100 S
下降时间
28 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
58 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
84 ns
典型接通延迟时间
34 ns
零件号别名
IPB025N10N3GATMA1 IPB25N1N3GXT SP000469888
单位重量
1.600 g
商品其它信息
优势价格,IPB025N10N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS BISS TAPE-7
1:¥2.6894
10:¥1.7967
100:¥0.75258
1,000:¥0.51528
3,000:¥0.40002
参考库存:11376
分立半导体
MOSFET N-Ch 600V 20.2A D2PAK-2 CoolMOS C6
1:¥21.4361
10:¥18.2156
100:¥15.8313
250:¥14.9838
500:¥13.447
1,000:¥11.30
参考库存:6958
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 500mA 80V
1:¥3.7629
10:¥2.5086
100:¥1.695
500:¥1.4012
3,000:¥0.9379
6,000:查看
参考库存:7493
分立半导体
MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SIR622DP-T1-GE3
1:¥16.1364
10:¥14.5996
100:¥11.752
500:¥9.2208
1,000:¥7.7631
3,000:¥7.458
参考库存:7264
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 250 Volt 200mA 50ns Dual Common Cathode
1:¥2.8476
10:¥1.8532
100:¥0.90626
500:¥0.77631
3,000:¥0.46104
6,000:查看
参考库存:19497
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