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分立半导体
SI7949DP-T1-GE3参考图片

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SI7949DP-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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库存:6,944(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥14.2945
14.2945
10
¥12.9046
129.046
100
¥10.3734
1037.34
500
¥8.0682
4034.1
1,000
¥6.6896
6689.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
5 A
Rds On-漏源导通电阻
64 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
40 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.5 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SI7
晶体管类型
2 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
16 S
下降时间
30 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
65 ns
典型接通延迟时间
8 ns
零件号别名
SI7949DP-GE3
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格,SI7949DP-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 10A 100V 20ns Dual 55 Amp IFSM
1:¥10.4525
10:¥8.6106
100:¥6.6218
500:¥5.7065
参考库存:35684
分立半导体
整流器 2.0 Amp 600 Volt 50 Amp IFSM
1:¥4.3053
10:¥3.3335
100:¥2.4747
500:¥2.034
5,000:¥1.3334
10,000:查看
参考库存:35687
分立半导体
稳压二极管 68 Volt 1.0W 5%
1:¥4.8364
10:¥3.9211
100:¥2.9832
500:¥2.4634
1,500:¥1.7854
4,500:查看
参考库存:35690
分立半导体
MOSFET Pwr MOSFET 60V 14A 52mOhm SGL P-CH
1:¥10.8367
10:¥9.2999
100:¥7.1416
500:¥6.3054
5,000:¥4.4183
10,000:查看
参考库存:35693
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 600V 2 x 8A IF (TO-263AB) 60A IFSM
1:¥10.4525
10:¥8.6106
100:¥6.6105
500:¥5.6839
800:¥4.4861
参考库存:35696
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