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分立半导体
IPP086N10N3 G参考图片

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IPP086N10N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 100V 80A TO220-3 OptiMOS 3
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库存:3,442(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.526
11.526
10
¥9.831
98.31
100
¥7.8422
784.22
500
¥6.893
3446.5
1,000
¥5.7178
5717.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
8.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
125 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
42 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
31 ns
典型接通延迟时间
18 ns
零件号别名
IPP086N10N3GXKSA1 IPP86N1N3GXK SP000680840
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IPP086N10N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH
1:¥4.1471
10:¥3.4691
100:¥2.1244
1,000:¥1.6385
3,000:¥1.4012
参考库存:4094
分立半导体
MOSFET BUK7M12-40E/MLFPAK/REEL 7" Q1/
1:¥4.8364
10:¥4.0002
100:¥2.4408
1,000:¥1.8871
1,500:¥1.6046
参考库存:2469
分立半导体
稳压二极管 36-40V 10mA SOD-123FL; PMDU
1:¥2.9945
10:¥2.3165
100:¥1.2543
1,000:¥0.94468
3,000:¥0.81473
参考库存:6198
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 FAST SWITCH EMCON DIODE 600V 30A
1:¥19.0518
10:¥16.2155
100:¥12.9046
500:¥11.30
参考库存:2709
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 0.1A 4.7kO SOT-323
1:¥2.4634
10:¥1.6611
100:¥0.69156
1,000:¥0.47686
3,000:¥0.36838
参考库存:4225
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