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分立半导体
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IRF1010NSTRLPBF

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库存:3,926(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.8311
11.8311
10
¥10.0683
100.683
100
¥8.0682
806.82
500
¥7.0625
3531.25
800
¥5.8534
4682.72
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
55 V
Id-连续漏极电流
85 A
Rds On-漏源导通电阻
11 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
120 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
180 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
32 S
下降时间
48 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
76 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
39 ns
典型接通延迟时间
13 ns
零件号别名
SP001571236
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IRF1010NSTRLPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 3A 300V 35ns
1,000:¥2.034
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6,000:¥8.6784
9,000:¥8.2942
参考库存:27273
分立半导体
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8,000:¥9.2999
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分立半导体
稳压二极管
100:¥23.052
309:¥23.052
500:¥20.6677
1,000:¥17.4472
2,500:¥16.5997
参考库存:27279
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