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分立半导体
SIHP15N60E-E3参考图片

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SIHP15N60E-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
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数量单价合计
1
¥22.7469
22.7469
10
¥18.9049
189.049
100
¥15.5262
1552.62
250
¥15.0629
3765.725
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220AB-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
15 A
Rds On-漏源导通电阻
280 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
39 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
180 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
22 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
26 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
41 ns
典型接通延迟时间
16 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，SIHP15N60E-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ES3GHR7G
Taiwan Semiconductor
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10:¥3.1527
100:¥2.5425
500:¥1.5029
1,800:¥1.00683
9,000:查看
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SSL32HR7G
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10:¥4.3844
100:¥3.4013
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850:¥1.9549
1,700:查看
参考库存:25599
1SMB5947 R4G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 3W,82V,5%,ZENER,SMB
1:¥4.7686
10:¥2.7685
100:¥2.2035
500:¥1.3108
3,000:¥0.87575
9,000:查看
参考库存:25602
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