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分立半导体
IGP30N60H3参考图片

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IGP30N60H3

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数量单价合计
1
¥22.8938
22.8938
10
¥19.436
194.36
100
¥16.8257
1682.57
250
¥15.9782
3994.55
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
187 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
HighSpeed 3
封装
Tube
工作温度范围
- 40 C to + 175 C
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
500
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGP30N60H3XKSA1 IGP3N6H3XK SP000702546
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IGP30N60H3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 DIODE ZENER 1W 18V SMA
1:¥4.0002
10:¥2.4973
100:¥1.3334
500:¥1.08367
7,500:¥0.63054
22,500:查看
参考库存:11518
分立半导体
稳压二极管 150MW 3.3V
1:¥3.0736
10:¥1.9436
100:¥0.83733
1,000:¥0.63732
3,000:¥0.48364
参考库存:7025
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 SS SC59 BR XTSR NPN 50V
1:¥2.9154
10:¥1.9549
100:¥0.82264
1,000:¥0.56048
3,000:¥0.43844
参考库存:12942
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 45V/60V/80V 1A NPN medium power trans
1:¥3.0736
10:¥2.1244
100:¥0.97632
1,000:¥0.75258
3,000:¥0.63732
参考库存:9944
分立半导体
MOSFET 80V Mosfet N-Channel
1:¥4.4522
10:¥3.6838
100:¥2.2487
1,000:¥1.7402
1,500:¥1.4803
参考库存:7046
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