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分立半导体
IPB042N10N3GATMA1参考图片

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IPB042N10N3GATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
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数量单价合计
1
¥21.131
21.131
10
¥17.9783
179.783
100
¥14.3736
1437.36
500
¥12.5995
6299.75
1,000
¥10.4525
10452.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
4.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
88 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
214 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
73 S
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
59 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
48 ns
典型接通延迟时间
27 ns
零件号别名
G IPB042N10N3 IPB42N1N3GXT SP000446880
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，IPB042N10N3GATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DSB5820
Microsemi
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky Rectifier
100:¥114.0283
250:¥104.1182
500:¥93.6657
1,000:¥86.9083
参考库存:36242
1N6030UR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
264:¥26.9731
500:¥24.0464
1,000:¥20.2835
2,500:¥18.7467
5,000:¥17.7523
参考库存:36245
1N6486
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
100:¥89.9819
250:¥82.1397
500:¥76.9191
1,000:¥68.6136
参考库存:36248
SSM3K121TU(TE85L)
Toshiba
分立半导体
MOSFET Vds=20V Id=3.2A 3Pin
暂无价格
参考库存:36251
1N4693UR-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
186:¥38.2618
250:¥35.1882
500:¥32.0468
1,000:¥27.9675
参考库存:36254
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