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分立半导体
SIR882DP-T1-GE3参考图片

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SIR882DP-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 100 Volts 60 Amps 83 Watts
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库存:3,635(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥19.3682
19.3682
10
¥16.1364
161.364
100
¥12.4526
1245.26
500
¥10.9158
5457.9
1,000
¥10.3734
10373.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
7.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
58 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
83 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
6.15 mm
系列
SIR
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
57 S
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
36 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
SIR882DP-GE3
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格,SIR882DP-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
分立半导体模块 100Amps 120VAC SB Circuit Power Module
1:¥603.0358
10:¥574.379
25:¥561.3162
50:¥548.2534
参考库存:1467
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 0.1A 80V Switching High-Speed Diode
1:¥2.7685
10:¥1.7854
100:¥0.7458
1,000:¥0.50737
3,000:¥0.3842
参考库存:7298
分立半导体
MOSFET N-Ch 200V 84A D2PAK-2
1:¥40.6461
10:¥34.4989
100:¥29.9676
250:¥28.4308
500:¥25.5154
1,000:¥21.5152
参考库存:2457
分立半导体
MOSFET N-Ch 70V 20A OmniFET
1:¥21.5152
10:¥18.2834
100:¥15.8313
250:¥15.0629
1,000:¥11.3678
2,000:查看
参考库存:1681
分立半导体
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥11.2209
10:¥9.2999
100:¥7.1416
500:¥6.1359
1,000:¥4.8364
3,000:¥4.52
参考库存:7461
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