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分立半导体
IPB015N04LGATMA1参考图片

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IPB015N04LGATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
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数量单价合计
1
¥29.8885
29.8885
10
¥25.3572
253.572
100
¥21.9785
2197.85
250
¥20.905
5226.25
1,000
¥15.7522
15752.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
1.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
346 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
60 S
下降时间
21 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
13 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
108 ns
典型接通延迟时间
25 ns
零件号别名
G IPB015N04L IPB15N4LGXT SP000387948
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPB015N04LGATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 30V 1A
1:¥2.9945
10:¥2.3278
100:¥1.2656
1,000:¥0.94468
3,000:¥0.81473
9,000:¥0.7684
参考库存:38904
分立半导体
MOSFET N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 3
1:¥47.2566
10:¥42.7253
25:¥40.7252
100:¥35.3464
1,000:¥26.8149
2,000:查看
参考库存:9773
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS HV TAPE-7
1:¥3.5369
10:¥2.486
100:¥1.1413
1,000:¥0.87575
3,000:¥0.7458
参考库存:29802
分立半导体
MOSFET -100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥17.8314
10:¥14.8256
100:¥11.526
500:¥10.0683
1,000:¥8.3733
3,000:¥8.3733
参考库存:32848
分立半导体
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
1:¥12.3735
10:¥10.5316
100:¥8.3733
500:¥7.3676
2,500:¥5.6839
5,000:查看
参考库存:6271
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