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BSS225 H6327

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1
¥4.3844
4.3844
10
¥3.6499
36.499
100
¥2.2261
222.61
1,000
¥1.7176
1717.6
2,000
¥1.469
2938
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
90 mA
Rds On-漏源导通电阻
28 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
5.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.5 mm
长度
4.5 mm
系列
BSS225
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
2.5 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
50 mS
下降时间
41 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
38 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
62 ns
典型接通延迟时间
14 ns
零件号别名
BSS225H6327FTSA1 SP001047644
商品其它信息
优势价格，BSS225 H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DDA144EU-7-F
Diodes Incorporated
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 200MW 47K 47K
1:¥3.1527
10:¥2.0001
100:¥0.86106
1,000:¥0.66105
3,000:¥0.49946
参考库存:6469
BZT52C3V3LP-7
Diodes Incorporated
分立半导体
稳压二极管 250mW 3.3V Zener
1:¥3.4578
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:8352
MSC2712GT1G
ON Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 60V NPN
1:¥1.3108
10:¥1.1865
100:¥0.42262
1,000:¥0.28476
3,000:¥0.2147
参考库存:36468
BAS19W-7-F
Diodes Incorporated
分立半导体
二极管 - 通用，功率，开关 200MW 120V
1:¥2.4634
10:¥1.6385
100:¥0.68365
1,000:¥0.46895
3,000:¥0.36838
参考库存:6347
CPH3205-TL-E
ON Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 3A 50V
1:¥4.4522
10:¥3.6499
100:¥2.2261
1,000:¥1.7176
3,000:¥1.469
参考库存:7310
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