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分立半导体
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FZT851TA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Current
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数量单价合计
1
¥6.9947
6.9947
10
¥6.0229
60.229
100
¥4.633
463.3
500
¥4.0906
2045.3
1,000
¥3.2318
3231.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
60 V
集电极—基极电压 VCBO
150 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
集电极—射极饱和电压
375 mV
最大直流电集电极电流
20 A
增益带宽产品fT
130 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FZT851
高度
1.65 mm
长度
6.7 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
3.7 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
6 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
25 at 10 A, 1 V
Pd-功率耗散
3 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
112 mg
商品其它信息
优势价格，FZT851TA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
S40QR
GeneSiC Semiconductor
分立半导体
整流器 1200V 40A REV Leads Std. Recovery
1:¥89.5977
10:¥80.6029
25:¥73.4613
100:¥66.3084
参考库存:1248
APT100GT120JU3
Microsemi
分立半导体
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥388.8895
5:¥375.8267
10:¥363.6114
25:¥336.2541
参考库存:1224
VT60M45C-M3/4W
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 60A,45V,TRENCH SKY RECT.
1:¥19.1309
10:¥15.9104
100:¥12.2944
500:¥10.8367
1,000:¥8.9157
参考库存:3196
TSD20H120CW C0G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Diode, Low VF Trench Schottky, 20A, 120V
1:¥8.4524
10:¥7.5258
25:¥6.8026
100:¥5.9551
参考库存:1281
MP356
Rectron
分立半导体
桥式整流器 35A 600V
1:¥16.5997
100:¥14.2945
500:¥11.526
1,000:¥9.9892
参考库存:1262
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