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分立半导体
IPD60R380P6ATMA1参考图片

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IPD60R380P6ATMA1

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数量单价合计
1
¥11.4469
11.4469
10
¥9.7632
97.632
100
¥7.7631
776.31
500
¥6.8478
3423.9
1,000
¥5.6726
5672.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
配置
Single
商标名
CoolMOS
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
CoolMOS P6
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
零件号别名
IPD60R380P6 SP001135814
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPD60R380P6ATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS HV TAPE-7
1:¥3.9211
10:¥3.277
100:¥2.0001
1,000:¥1.5481
2,000:¥1.3221
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1:¥812.583
25:¥733.3587
100:¥661.8184
参考库存:2194
分立半导体
MOSFET N-Ch FET 600V 2.5s IDSS 10 uA
1:¥11.0627
10:¥8.9157
100:¥6.7913
500:查看
参考库存:2320
分立半导体
JFET JFET N-Channel -25V 20mA 500mW 4mW
1:¥84.8291
10:¥71.303
100:¥65.6191
250:¥59.8561
参考库存:2391
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) POWER TRANSISTOR
1:¥5.0737
10:¥4.2488
100:¥2.7459
1,000:¥2.1922
参考库存:6994
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