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分立半导体
FF300R17KE3参考图片

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FF300R17KE3

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库存:1,926(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,325.0267
1325.0267
5
¥1,293.1381
6465.6905
10
¥1,261.0235
12610.235
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1700 V
集电极—射极饱和电压
2.45 V
在25 C的连续集电极电流
404 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
1450 W
封装 / 箱体
62 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
30.9 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FF300R17KE3HOSA1 SP000100776
单位重量
340 g
商品其它信息
优势价格,FF300R17KE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 DIODE SCHOTTKY 40V 2A DO214AA
1:¥4.0002
10:¥2.2148
100:¥1.1865
500:¥0.95259
3,000:¥0.5537
9,000:查看
参考库存:9156
分立半导体
MOSFET Power MOSFET
1:¥10.3734
10:¥8.8366
100:¥6.78
500:¥5.989
参考库存:5427
分立半导体
稳压二极管 ZENER, 150mW 3.9V
1:¥2.9945
10:¥1.921
100:¥0.86784
1,000:¥0.5537
4,000:¥0.41471
参考库存:9330
分立半导体
稳压二极管 0.15W, VZ=3.3V
1:¥3.2318
10:¥2.0679
100:¥0.92999
1,000:¥0.59212
4,000:¥0.44522
参考库存:4757
分立半导体
整流器 DIODE GP 100V 5A DO214AB
1:¥3.9211
10:¥2.9154
100:¥2.1696
500:¥1.8306
3,000:¥1.2543
6,000:查看
参考库存:4505
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