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分立半导体
SIHP25N50E-GE3参考图片

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SIHP25N50E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
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库存:3,876(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥27.2782
27.2782
10
¥24.3628
243.628
100
¥19.9784
1997.84
250
¥18.4416
4610.4
500
¥16.1364
8068.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220AB-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
26 A
Rds On-漏源导通电阻
145 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
57 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
15.49 mm
长度
10.41 mm
系列
E
宽度
4.7 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
29 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
36 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
57 ns
典型接通延迟时间
19 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,SIHP25N50E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 200V P-Channel QFET
1:¥6.6105
10:¥5.5144
100:¥3.5595
1,000:¥2.8476
2,500:¥2.5538
参考库存:20391
分立半导体
MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥11.9893
10:¥9.831
100:¥7.571
500:¥6.5201
3,000:¥6.5201
参考库存:21366
分立半导体
MOSFET N Channel NexFET Power MOSFET
1:¥8.2942
10:¥7.0738
100:¥5.4353
500:¥4.8138
2,500:¥3.3674
10,000:查看
参考库存:36755
分立半导体
肖特基二极管与整流器 100 Volt 150mA 750mA IFSM
1:¥3.9211
10:¥2.1583
100:¥1.1639
500:¥0.92999
10,000:¥0.48364
20,000:查看
参考库存:38550
分立半导体
肖特基二极管与整流器 1.0A 100V
1:¥4.068
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
3,000:¥1.3334
参考库存:139024
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