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分立半导体
STW30N65M5参考图片

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STW30N65M5

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V 22 A
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数量单价合计
1
¥69.0769
69.0769
10
¥62.3986
623.986
25
¥59.551
1488.775
100
¥51.641
5164.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
22 A
Rds On-漏源导通电阻
139 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
Vgs - 栅极-源极电压
3 V
Qg-栅极电荷
64 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
140 W
配置
Single
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STW30N65M5
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MDmesh V Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
50 ns
典型接通延迟时间
50 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，STW30N65M5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
GDZ3V3B-HE3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 3.3Volt 0.2 Watt 2% AUTO
1:¥2.3052
10:¥1.5029
100:¥0.73789
500:¥0.63054
3,000:¥0.37629
6,000:查看
参考库存:51582
MMSZ5267B-HE3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 75 Volt 0.5W 5% AUTO
1:¥2.3052
10:¥1.5029
100:¥0.73789
500:¥0.63054
3,000:¥0.37629
6,000:查看
参考库存:51585
MMBZ5233C-HE3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 6.0 Volt 0.225W 2% AUTO
1:¥2.0001
10:¥1.356
100:¥0.66105
500:¥0.56048
10,000:¥0.25312
20,000:查看
参考库存:51588
MMBZ5240C-E3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 10 Volt 0.225W 2%
1:¥1.921
10:¥1.2882
100:¥0.63054
500:¥0.53788
3,000:¥0.32318
6,000:查看
参考库存:51591
TLZ22D-GS18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 22 Volt 0.5 Watt IR = 0.04uA
1:¥1.8419
10:¥1.5368
100:¥0.65314
500:¥0.54579
10,000:¥0.23843
20,000:查看
参考库存:51594
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