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分立半导体
BSC0910NDIATMA1参考图片

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BSC0910NDIATMA1

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库存:6,725(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥15.368
15.368
10
¥13.0628
130.628
100
¥10.4525
1045.25
500
¥9.1417
4570.85
5,000
¥6.8026
34013
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TISON-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
3.5 mOhms, 900 uOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
6.6 nC, 30.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
42 S, 85 S
下降时间
2.4 ns, 4.1 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.6 ns, 5.6 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns, 28 ns
典型接通延迟时间
2.4 ns, 5.6 ns
零件号别名
BSC0910NDI SP000998052
商品其它信息
优势价格,BSC0910NDIATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
IGBT 晶体管 600V/50A FAST IGBT FSII T
1:¥49.8669
10:¥42.4202
100:¥36.725
250:¥34.8831
参考库存:1207
分立半导体
达林顿晶体管 NPN Epitaxial Sil Darl
1:¥5.9212
10:¥4.9155
100:¥3.164
1,000:¥2.5312
参考库存:3998
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 DIODE SW TAPE AXIAL
1:¥0.92208
10:¥0.791
100:¥0.28476
1,000:¥0.1921
10,000:¥0.12317
20,000:查看
参考库存:10941
分立半导体
稳压二极管 300mW 3.6V Zener AEC-Q101 Qualified
1:¥1.5368
10:¥1.3899
100:¥0.49155
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:11880
分立半导体
稳压二极管 500mW ZENER
1:¥1.695
10:¥1.13
100:¥0.5537
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.24634
参考库存:3560
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