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分立半导体
STI20N65M5参考图片

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STI20N65M5

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 650 V 0.160 Ohm 18 A MDmesh(TM) M5
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数量单价合计
1
¥29.041
29.041
10
¥24.6679
246.679
100
¥21.357
2135.7
250
¥20.2835
5070.875
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
18 A
Rds On-漏源导通电阻
160 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
36 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
130 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STI20N65M5
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
7.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.5 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
单位重量
1.438 g
商品其它信息
优势价格，STI20N65M5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMBZ4626-HE3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 5.6 Volt 0.225W 5% AUTO
1:¥2.0001
10:¥1.356
100:¥0.66105
500:¥0.56048
3,000:¥0.33787
6,000:查看
参考库存:52458
MMBZ5258B-E3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 36 Volt 0.225W 5%
1:¥1.8419
10:¥1.5933
100:¥0.67574
500:¥0.56048
10,000:¥0.24634
20,000:查看
参考库存:52461
MMBZ5250C-HE3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 20 Volt 0.225W 2% AUTO
1:¥2.0001
10:¥1.356
100:¥0.66105
500:¥0.56048
3,000:¥0.33787
6,000:查看
参考库存:52464
GDZ36B-HE3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 36 Volt 0.2 Watt 2% AUTO
1:¥2.3052
10:¥1.5029
100:¥0.73789
500:¥0.63054
10,000:¥0.27685
20,000:查看
参考库存:52467
BAV5004WSQ-7
Diodes Incorporated
分立半导体
二极管 - 通用，功率，开关 HiVolt Switch Diode BVR > 100V
1:¥2.3052
10:¥1.5594
100:¥0.65314
1,000:¥0.44522
3,000:¥0.34578
参考库存:52470
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