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分立半导体
SIHP33N60E-GE3参考图片

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SIHP33N60E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
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库存:2,830(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥52.093
52.093
10
¥46.4882
464.882
100
¥38.1149
3811.49
250
¥34.1938
8548.45
500
¥30.8151
15407.55
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220AB-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
33 A
Rds On-漏源导通电阻
99 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
100 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
278 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
15.49 mm
长度
10.41 mm
系列
E
宽度
4.7 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
54 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
60 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
99 ns
典型接通延迟时间
28 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,SIHP33N60E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 Diode Zener 5.1V 200mW 5%
1:¥1.5368
10:¥1.07576
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23843
参考库存:16111
分立半导体
稳压二极管 3.3 Volt 0.5 Watt 5%
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.54579
500:¥0.45313
10,000:¥0.20001
20,000:查看
参考库存:30379
分立半导体
稳压二极管 15 Volt 1.3 Watt
1:¥2.2261
10:¥1.4803
100:¥0.72998
500:¥0.62263
5,000:¥0.32318
10,000:查看
参考库存:11287
分立半导体
肖特基二极管与整流器 DIODE SCHOTTKY
1:¥2.7685
10:¥1.808
100:¥0.78422
1,000:¥0.5989
3,000:¥0.45313
参考库存:6458
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 50V NPN
1:¥0.84524
10:¥0.7684
100:¥0.26894
1,000:¥0.18419
3,000:¥0.13786
参考库存:49124
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