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分立半导体
2N7002H6327XT参考图片

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2N7002H6327XT

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库存:49,848(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.2261
2.2261
10
¥1.5142
15.142
100
¥0.63732
63.732
1,000
¥0.43053
430.53
3,000
¥0.33787
1013.61
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
300 mA
Rds On-漏源导通电阻
1.6 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
600 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
200 mS
下降时间
3.1 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.3 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
5.5 ns
典型接通延迟时间
3 ns
零件号别名
2N7002 2N7002H6327XTSA2 H6327 SP000929182
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,2N7002H6327XT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 75V 50a .16Ohms/VGS=1V
1:¥13.6052
10:¥11.6051
100:¥9.2999
500:¥8.1473
1,000:¥6.7009
2,500:¥6.7009
参考库存:9495
分立半导体
MOSFET -60V Vds 20V Vgs SOT-23
1:¥4.3844
10:¥3.3335
100:¥2.4747
500:¥2.034
3,000:¥1.4238
6,000:查看
参考库存:22254
分立半导体
分立半导体模块 Rectifier Diode Module 1600V 104A
1:¥889.8072
5:¥873.4448
10:¥834.1773
25:¥806.3567
参考库存:1208
分立半导体
MOSFET 60V,NCh NexFET Pwr MOSFET
1:¥18.8258
10:¥15.9782
100:¥12.7577
250:¥12.7577
500:¥11.1418
参考库存:6565
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 16A 250V 250W NPN
1:¥54.014
10:¥48.7934
50:¥46.5673
100:¥40.4201
参考库存:5733
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