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分立半导体
IPP023NE7N3 G参考图片

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IPP023NE7N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3
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库存:2,980(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥40.0359
40.0359
10
¥34.0356
340.356
100
¥29.5043
2950.43
250
¥27.9675
6991.875
500
¥25.1312
12565.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
75 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
2.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
206 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
98 S
下降时间
22 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
26 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
70 ns
典型接通延迟时间
19 ns
零件号别名
IPP023NE7N3GXKSA1 IPP23NE7N3GXK SP000641722
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IPP023NE7N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 Ultrafast rectifier 5A / 600V / 20ns
1:¥7.91
10:¥7.2207
100:¥5.5822
500:¥4.1358
800:¥3.0623
2,400:¥2.9945
参考库存:20339
分立半导体
肖特基二极管与整流器 25A,45V,DUAL SCHOTTKY RECTIFIER
1:¥11.752
10:¥10.4525
25:¥9.4468
100:¥8.2942
800:¥5.0624
2,400:查看
参考库存:20342
分立半导体
稳压二极管 Earth Leakage Detector ICs
1:¥3.5369
10:¥2.2713
100:¥0.97632
1,000:¥0.75258
8,000:¥0.50737
24,000:查看
参考库存:20345
分立半导体
肖特基二极管与整流器 10A,40V, DUAL SCHOTTKY RECTIFIER
1:¥8.3733
10:¥7.458
25:¥6.6896
100:¥5.8647
800:¥3.5934
2,400:查看
参考库存:5551
分立半导体
整流器 6A,50V, G.P. HIGH EFFICIENT RECTIFIER
1:¥6.6105
10:¥6.0681
100:¥4.6782
500:¥3.4691
1,000:¥2.5651
2,000:¥2.5086
参考库存:20350
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