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分立半导体
IPP023NE7N3 G参考图片

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IPP023NE7N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3
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库存:2,980(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥40.0359
40.0359
10
¥34.0356
340.356
100
¥29.5043
2950.43
250
¥27.9675
6991.875
500
¥25.1312
12565.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
75 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
2.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
206 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
98 S
下降时间
22 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
26 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
70 ns
典型接通延迟时间
19 ns
零件号别名
IPP023NE7N3GXKSA1 IPP23NE7N3GXK SP000641722
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IPP023NE7N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 30V,NCh Nex FET Pwr MOSFET
1:¥7.5258
10:¥6.4523
100:¥4.9381
500:¥4.3731
2,500:¥3.0623
10,000:查看
参考库存:4826
分立半导体
分立半导体模块 600 Volt 60 Amp 1360 Amp IFSM
1:¥298.0601
5:¥284.6131
10:¥275.7765
参考库存:4212
分立半导体
SCR Thyristors - B-PUK
1:¥1,158.137
5:¥1,130.3164
10:¥1,102.1907
25:¥1,086.7436
参考库存:4209
分立半导体
稳压二极管 ZEN SMB REG 3W SPCL TR
1:¥4.7686
10:¥3.9324
100:¥2.5312
1,000:¥2.034
2,500:¥1.7176
参考库存:5552
分立半导体
整流器 3A,400V, STD SUPERECT
1:¥5.989
10:¥4.8251
100:¥3.6612
500:¥3.0284
参考库存:5911
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