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分立半导体
CSD16411Q3参考图片

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CSD16411Q3

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
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库存:3,219(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.8365
6.8365
10
¥5.6839
56.839
100
¥3.6725
367.25
1,000
¥2.938
2938
2,500
¥2.6668
6667
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSON-CLIP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
10 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
2.9 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
35 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
3.3 mm
系列
CSD16411Q3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
30 S
开发套件
TPS2592AAEVM-531, TPS2592BLEVM-531
下降时间
3.1 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.8 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
6 ns
典型接通延迟时间
5.3 ns
单位重量
41.600 mg
商品其它信息
优势价格,CSD16411Q3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
变容二极管 10V C1=9.7-11.1pF
1:¥3.7629
10:¥2.1809
100:¥1.02943
1,000:¥0.79891
3,000:¥0.66105
参考库存:7801
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 SWITCH DIODE GL WNG 2.9x2.8mm
1:¥1.695
10:¥1.12209
100:¥0.52206
500:¥0.40002
3,000:¥0.23843
9,000:查看
参考库存:34350
分立半导体
稳压二极管 500MW 3.6V
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
2,500:¥0.23052
参考库存:11026
分立半导体
整流器 1600 Volt 40 Amp
1:¥78.2186
10:¥70.3877
50:¥64.1614
100:¥57.9351
参考库存:3413
分立半导体
MOSFET MOSFET NChannel 0.33ohm DTMOS
1:¥15.8313
10:¥12.7577
100:¥10.2152
500:¥8.9948
参考库存:3679
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