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分立半导体
STGF6NC60HD参考图片

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STGF6NC60HD

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 PowerMESH&#34 IGBT
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数量单价合计
1
¥9.5259
9.5259
10
¥8.0682
80.682
100
¥6.2037
620.37
500
¥5.4805
2740.25
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3 FP
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.9 V
栅极/发射极最大电压
20 V
Pd-功率耗散
20 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGF6NC60HD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
6 A
高度
9.3 mm
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
6 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
2.300 g
商品其它信息
优势价格，STGF6NC60HD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VS-VSKN71/16
Vishay Semiconductors
分立半导体
SCR模块 Input Modules - AAP DBC
1:¥325.8016
5:¥317.1232
10:¥304.8288
参考库存:2163
SIHG17N60D-GE3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
1:¥30.51
10:¥25.2781
100:¥20.8259
250:¥20.1366
参考库存:2434
2N6394TG
Littelfuse
分立半导体
SCR THY 12A 50V SCR
1:¥14.3736
10:¥11.526
100:¥9.2208
500:¥8.1473
参考库存:2607
IHW30N120R3
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
1:¥37.1092
10:¥31.5044
100:¥27.2782
250:¥25.8996
500:¥23.2102
参考库存:2805
BZT52C8V2 RH
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 8.2 Volt 410mW 5%
1:¥1.695
10:¥1.4577
100:¥0.82942
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.29154
参考库存:15893
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