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分立半导体
IPA041N04NGXKSA1参考图片

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IPA041N04NGXKSA1

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数量单价合计
1
¥8.2942
8.2942
10
¥7.1303
71.303
100
¥5.4805
548.05
500
¥4.8364
2418.2
1,000
¥3.8194
3819.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
70 A
Rds On-漏源导通电阻
3.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
56 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
35 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
16.15 mm
长度
10.65 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.85 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
48 S
下降时间
4.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.8 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23 ns
典型接通延迟时间
16 ns
零件号别名
G IPA041N04N SP001191328
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IPA041N04NGXKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 20 Volt 1.0 Amp 25 Amp IFSM
1:¥4.1471
10:¥3.2318
100:¥2.2261
500:¥1.5255
参考库存:18202
分立半导体
肖特基二极管与整流器 2A,30V,Micro SMA SCHOTTKY Rect
1:¥3.2318
10:¥2.5312
100:¥1.7515
500:¥1.1978
3,000:¥0.79891
6,000:查看
参考库存:18205
分立半导体
MOSFET 30V P channel MOSFET
1:¥4.7686
10:¥4.0002
100:¥3.0058
500:¥2.2035
3,000:¥1.5142
6,000:查看
参考库存:18208
分立半导体
稳压二极管 1.5W, VR=38.8V
1:¥3.9211
10:¥2.5877
100:¥1.582
1,000:¥1.05316
5,000:¥0.90626
参考库存:18211
分立半导体
稳压二极管 350mW Zener Diode 25.65V to 28.35V
3,000:¥1.08367
6,000:¥1.08367
9,000:¥1.01474
24,000:¥0.9605
45,000:¥0.9379
99,000:¥0.89948
参考库存:18214
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