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产品分类

分立半导体
IPA041N04NGXKSA1参考图片

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IPA041N04NGXKSA1

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库存:6,439(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.2942
8.2942
10
¥7.1303
71.303
100
¥5.4805
548.05
500
¥4.8364
2418.2
1,000
¥3.8194
3819.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
70 A
Rds On-漏源导通电阻
3.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
56 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
35 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
16.15 mm
长度
10.65 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.85 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
48 S
下降时间
4.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.8 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23 ns
典型接通延迟时间
16 ns
零件号别名
G IPA041N04N SP001191328
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IPA041N04NGXKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 100A
1:¥1,329.7162
5:¥1,297.6694
10:¥1,265.4757
25:¥1,247.7234
参考库存:2152
分立半导体
整流器 high volt rectifier
1:¥19.7524
10:¥16.7466
100:¥13.447
500:¥11.752
参考库存:3545
分立半导体
MOSFET MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC
1:¥17.515
10:¥14.8256
100:¥11.9102
500:¥10.3734
1,000:¥8.6106
参考库存:8379
分立半导体
MOSFET MOSFT 200V 62A 26mOhm 70nC Qg
1:¥21.9785
10:¥18.6676
100:¥14.9838
500:¥13.0628
800:¥10.8367
参考库存:3472
分立半导体
MOSFET N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
1:¥29.8885
10:¥25.3572
100:¥21.9785
250:¥20.905
1,000:¥15.7522
2,000:查看
参考库存:3144
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