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分立半导体
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IPA041N04NGXKSA1

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库存：6,439(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.2942
8.2942
10
¥7.1303
71.303
100
¥5.4805
548.05
500
¥4.8364
2418.2
1,000
¥3.8194
3819.4
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
70 A
Rds On-漏源导通电阻
3.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
56 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
35 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
16.15 mm
长度
10.65 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.85 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
48 S
下降时间
4.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.8 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23 ns
典型接通延迟时间
16 ns
零件号别名
G IPA041N04N SP001191328
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IPA041N04NGXKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMBZ5253C-G3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 25 Volt 0.225W 2%
1:¥2.3843
10:¥1.6159
100:¥0.791
500:¥0.67574
3,000:¥0.4068
6,000:查看
参考库存:23365
AZ23B3V9-HE3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 3.9 Volt 0.3W 2% CA AUTO
1:¥3.1527
10:¥1.7402
100:¥0.9379
500:¥0.75258
15,000:¥0.4068
参考库存:23368
AZ23B18-G3-18
Vishay
分立半导体
稳压二极管 18 Volt 0.3W 2% CA
1:¥3.4578
10:¥1.9436
100:¥1.04525
500:¥0.83733
10,000:¥0.43053
20,000:查看
参考库存:23371
BZT52C30-G3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 30 Volt 0.41W 5%
1:¥2.4634
10:¥1.6159
100:¥0.791
500:¥0.67574
10,000:¥0.29945
20,000:查看
参考库存:23374
NSVMUN5333DW1T3G
ON Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 SS SC88 BR XSTR DUAL
1:¥3.3787
10:¥2.3391
100:¥1.07576
1,000:¥0.82264
10,000:¥0.63732
20,000:查看
参考库存:71237
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