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分立半导体
SIHG73N60E-GE3参考图片

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SIHG73N60E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
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库存：2,111(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥106.7285
106.7285
10
¥96.9766
969.766
25
¥90.6712
2266.78
50
¥86.1399
4306.995
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AC-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
73 A
Rds On-漏源导通电阻
39 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
241 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
520 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
系列
E
宽度
5.31 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
120 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
105 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
290 ns
典型接通延迟时间
63 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，SIHG73N60E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
3EZ15D10E3/TR8
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
1,500:¥5.0059
9,000:¥4.8251
参考库存:33822
DF1508S-E3/45
Vishay Semiconductors
分立半导体
桥式整流器 1.5 Amp 800 Volt
1:¥5.0737
10:¥4.0906
100:¥3.1075
500:¥2.5651
参考库存:33825
VS-ST330C16C1L
Vishay Semiconductors
分立半导体
SCR Thyristors - E-PUK
12:¥863.2183
36:¥834.4033
60:¥822.9564
108:¥777.0106
参考库存:33828
VS-ST330S08P1
Vishay Semiconductors
分立半导体
SCR Thyristors - TO-118 COMP RND-e3
6:¥1,203.4726
12:¥1,173.5728
30:¥1,157.1313
参考库存:33831
DMT43M8LFV-13
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET 40V N-Ch Enhance Mode
3,000:¥2.9832
参考库存:33834
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