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分立半导体
SIR804DP-T1-GE3参考图片

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SIR804DP-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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库存:7,733(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.8994
21.8994
10
¥18.2156
182.156
100
¥14.1363
1413.63
500
¥12.3735
6186.75
3,000
¥12.3735
37120.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
7.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
50.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
104 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SIR
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
73 S
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
38 ns
典型接通延迟时间
11 ns
零件号别名
SIR804DP-GE3
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格,SIR804DP-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 45V/60V/80V 1A NPN medium power trans
3,000:¥0.63732
9,000:¥0.58421
24,000:¥0.54579
45,000:¥0.49155
99,000:¥0.46895
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分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) . .
500:¥55.935
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800:¥18.984
2,400:¥17.9783
4,800:¥17.289
参考库存:25294
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