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分立半导体
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CSD16404Q5A

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
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库存：7,298(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.684
7.684
10
¥6.5314
65.314
100
¥5.0285
502.85
500
¥4.4409
2220.45
2,500
¥3.1075
7768.75
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSONP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
5.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.8 V
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
Qg-栅极电荷
6.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
6 mm
系列
CSD16404Q5A
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.9 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
57 S
下降时间
4.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
13.4 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
8.4 ns
典型接通延迟时间
7.8 ns
单位重量
85.300 mg
商品其它信息
优势价格，CSD16404Q5A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ZTX614STZ
Diodes Incorporated
分立半导体
达林顿晶体管 NPN Darlington
2,000:¥1.8419
4,000:¥1.5594
参考库存:35133
DMN3009SFG-13
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET 30V N-Ch Enh FET 20Vgs Low Rdson
3,000:¥2.3956
参考库存:10490
NRVB1045MFST1G
ON Semiconductor
分立半导体
整流器 10 A 45 V SCHOTTKY DIODE
1:¥8.6106
10:¥7.3337
100:¥5.6387
500:¥4.9833
1,500:¥3.4917
9,000:查看
参考库存:5438
1N6481HE3/96
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 400 Volt 1.0 Amp 30 Amp IFSM
1:¥3.9211
10:¥2.6894
100:¥1.8193
500:¥1.4577
1,500:¥1.00683
4,500:查看
参考库存:35140
UGB10CCTHE3/45
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 10 Amp 150 Volt 20ns Dual 55 Amp IFSM
1:¥10.6785
10:¥8.8366
100:¥6.7913
500:¥5.8421
参考库存:35143
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